VS-20CTH03PbF, VS-20CTH03-N3, VS-20CTH03FPPbF, VS-20CTH03FP-N3
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Vishay Semiconductors
Revision: 25-Jun-12
4
Document Number: 94010
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Fig. 6 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 7 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current (FULL-PAK)
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 9 - Typical Reverse Recovery Time vs. dI
F/dt
Fig. 10 - Typical Stored Charge vs. dI
F/dt
Note
(1)
Formula used: TC
= T
J
- (Pd + Pd
REV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV)
x V
FM
at (I
F(AV)/D) (see fig. 8);
PdREV
= Inverse power loss = V
R1
x I
R
(1 - D); I
R
at V
R1
= Rated V
R
See note (1)
Square wave (D = 0.50)
Rated VR
applied
DC
02468 1610
12
14
180
170
160
150
140
IF(AV)
- Average Forward Current (A)
Allowable Case Temperature (°C)
See note (1)
Square wave (D = 0.50)
Rated VR
applied
DC
02468 1610
12
14
180
170
160
150
100
IF(AV)
- Average Forward Current (A)
Allowable Case Temperature (°C)
140
130
120
110
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
02468 1610
12
14
20
16
12
8
0
IF(AV)
- Average Forward Current (A)
Average Power Loss (W)
4
RMS limit
DC
10
100 1000
t
rr
(ns)
dIF/dt (A/μs)
100
VR
= 200 V
IF
= 10 A
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
1000
10
100 1000
Q
rr
(nC)
dIF/dt (A/μs)
100
VR
= 200 V
IF
= 10 A
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
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IC AMP RF N-CH 25V TO-92
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